Молекулярно-динамичекое моделирование адсорбции атома Si на поверхности SiO2

Механизм зарождения атомов кремния на поверхности оксида кремния изучался с использованием метода MD-моделирования. Этот метод использовался для проведения расчетов значений энергии связи атомов кремния в различных положениях на поверхности оксида кремния. Для осуществления расчетов использовались полуэмпирический потенциал Ватанабе и молекулярно-динамический код SageMD.

Адсорбция.avi (4.73 Mb)

В начало

Микроскопическое моделирование осаждения и кристаллизации наночастиц кремния на поверхности оксида кремния

Результаты расчета показали, что максимальная энергия связи на кристалле и на поверхности аморфного оксида кремния реализуется, когда атом кремния взаимодействует с двумя атомами кислорода, т. е. Возникает структура O-Si-O. Функция распределения энергии связи атома кремния на поверхности кристалла и аморфного оксида кремния была получена также с использованием метода моделирования молекулярной динамики.

Рис 1 Поверхность кристалла SiO2

Рис 2 Поверхность аморфного SiO2

В начало

Изоповерхности энергии связи для поверхности кристалла и аморфного SiO2

Метод сканирования приповерхностного слоя использовался для расчета изоэнергетических поверхностей для поля энергии связи атома кремния в приповерхностных слоях кристалла и аморфного оксида кремния. Плотность поверхности для атома кремния была рассчитана на поверхности (001) кристалла и аморфного оксида кремния. Мы вычислили значение поверхностной плотности мест локализации атомов кремния. Это значение сравнивалось с экспериментальной поверхностной плотностью кремниевых наночастиц.

Рис 3 Значение на этой изоповерхности равно -5 eV

Рис 4 Значение на этой изоповерхности равно -2 eV

В начало